STM32f407的内部Flash按页写入怎么写?
时间: 2024-06-05 07:10:51 浏览: 231
为了实现内部Flash按页写入,我们需要使用STM32F4的内部Flash读写保护机制。首先,我们需要将FLASH的地址分配到32位重映射A20线的物理地址(0x08000000+16384)上。接下来,我们需要使用Flash_EraseSector()函数擦除要写入的页。最后,我们可以使用Flash_ProgramWord()函数将数据写入页。详细操作步骤可以参考ST固件库提供的样例代码。
相关问题
stm32f407内部flash按页擦除
### STM32F407 内部 Flash 按页擦除方法
对于STM32F407微控制器而言,在执行任何Flash写入操作之前,必须先擦除目标位置所在的页面。这是因为Flash存储器的工作原理决定了一旦数据被写入后无法直接修改,而只能通过先整体擦除再重新写入的方式实现更新。
#### 准备工作
为了安全有效地完成这一过程,需确保以下几点:
- 停止所有可能影响Flash访问的操作。
- 解锁Flash编程模式以便允许后续的擦除指令被执行 `HAL_FLASH_Unlock()`[^1]。
一旦准备工作就绪,则可以按照如下方式来具体实施按页擦除动作。
#### 实施按页擦除
针对特定扇区或整个芯片范围内的多页连续擦除可以通过调用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数并提供相应的参数来进行配置。下面是一个具体的例子展示如何指定单个页面进行擦除:
```c
#include "stm32f4xx_hal.h"
// 定义要擦除的具体地址, 这里假设为第一页起始地址
uint32_t PageError;
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_PAGES; // 设置擦除类型为页面擦除
EraseInitStruct.PageAddress = 0x0800C000; // 起始地址指向需要擦除的第一个字节
EraseInitStruct.NbPages = 1; // 只擦除一个页面
if (HAL_OK != HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError))
{
/* 错误处理 */
}
else {
/* 成功擦除了指定页面 */
}
/* 上锁以防止意外写入/擦除 */
HAL_FLASH_Lock();
```
上述代码片段展示了如何利用ST官方提供的硬件抽象层(HAL)库中的API接口对选定的一个Flash页面执行擦除操作,并在完成后立即锁定Flash以防不必要的更改发生[^3]。
stm32f407内部flash读写
STM32F407内部Flash(通常称为非易失性内存)用于长期存储程序代码和配置数据。尽管它是只读存储器,但在特定情况下可以进行读取操作。要从内部Flash读取数据,如示例所示[^1]:
1. **读取操作**:
```c
#define FLASH_ADDRESS 0x8000000 // 替换为你想要读取的实际地址
uint32_t data_address = (uint32_t)FLASH_ADDRESS;
uint32_t data_value = *(uint32_t*)data_address; // 使用指针来读取32位数据
```
对于写入操作,内部Flash通常是通过分块擦除的方式来进行的。首先,确定要写入的范围,然后执行擦除,最后写入新数据[^2]:
2. **擦除操作**:
- 对于STM32F407,可能支持不同大小的擦除块,如页擦除或扇区擦除。
- 例如,使用STM32 HAL库中的`HAL_FLASHEx_Erase`函数,指定要擦除的起始地址和大小:
```c
HAL_StatusTypeDef status;
uint32_t erase_addr = 0x8000000; // 要擦除的起始地址
size_t erase_size = FLASH_BANK_SIZE; // 擦除块的大小
status = HAL_FLASHEx_Erase(&hflash, erase_addr, erase_size);
if (status != HAL_OK) {
// 处理错误
}
```
- 写入操作通常发生在擦除后,使用`HAL_FLASH_Program`函数。
请注意,这些操作通常在STM32固件库的支持下进行,直接硬件访问可能会导致不稳定或不兼容的问题。务必遵循官方文档和库函数说明。
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