STM32F103RET6的flash分配
时间: 2025-03-19 07:07:37 浏览: 61
### STM32F103RET6 Flash 存储器分配机制及地址范围
STM32F103RET6 是一款基于 ARM Cortex-M3 内核的高性能微控制器,其内部集成了大容量的 Flash 存储器。对于 STM32F103RET6 的 Flash 存储器分配机制及其地址范围,可以从以下几个方面进行说明。
#### 1. **Flash 容量**
STM32F103RET6 配备了高达 512KB 的 Flash 存储器[^1]。这种大容量设计使其能够满足复杂应用的需求,例如嵌入式操作系统、图形界面以及实时控制等功能。
#### 2. **Flash 页面划分**
Flash 存储器被划分为多个页面(Page),每一页的大小通常为固定值。具体而言,STM32F103RET6 中 Flash 页面的大小定义如下:
- 总共的页面数由宏 `FLASH_PAGENUM` 计算得出,计算公式为 `(FLASH_SIZE / FLASH_PAGESIZE)`[^2]。
- 对于 STM32F103RET6,Flash 大小为 512KB,而每个页面的标准大小为 2KB 或更大,因此总共有约 256 页(取决于具体的配置)。
#### 3. **Flash 地址范围**
STM32F103RET6 的 Flash 存储器基地址位于 `0x08000000`,整个存储空间连续分布至结束地址 `0x0807FFFF`(对应 512KB)。以下是详细的地址范围描述:
- 起始地址:`0x08000000`
- 结束地址:`0x0807FFFF`
这些地址可以直接通过指针访问或利用库函数完成读写操作[^3]。
#### 4. **Flash 编程方式**
Flash 编程支持按字(Word,4 字节)的方式进行数据写入。这意味着每次写入操作都需要提供完整的 4 字节数据,并将其放置到指定的目标地址上。为了实现这一功能,开发者可以调用 HAL 库中的相关 API 函数或者手动编写低级代码来完成 Flash 编程任务。
以下是一个简单的示例代码片段,展示如何向 Flash 写入数据:
```c
#include "stm32f1xx_hal.h"
void WriteToFlash(uint32_t address, uint32_t data) {
HAL_StatusTypeDef status;
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data);
if (status != HAL_OK) {
// 错误处理逻辑
}
}
// 使用示例
WriteToFlash(0x08000000, 0xDEADBEEF); // 向地址 0x08000000 写入数据 0xDEADBEEF
```
上述代码展示了如何通过 HAL 库接口将一个 4 字节的数据写入到指定的 Flash 地址中。
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