stm32f103 内部flash的读写缺点
时间: 2025-02-16 15:42:21 浏览: 37
### STM32F103内部Flash读写存在的问题和限制
#### 有限的擦除次数
STM32F103内部Flash具有一定的寿命,通常可以承受大约10,000次擦除周期。这意味着如果频繁地对同一区域进行擦除和重写操作,则可能会导致该区域损坏或失效[^1]。
#### 数据保持时间
虽然官方数据手册指出,在正常条件下(如温度范围为-40°C至85°C),未使用的Flash单元能够保存至少20年的数据;然而一旦进行了编程或者擦除动作之后的数据保留能力会有所下降,并且随着工作条件的变化而变化[^2]。
#### 扇区大小固定不可变
对于不同容量版本MCU而言其扇区划分方式是固定的。例如,在某些型号中每个扇区可能是1KB或者是更大的尺寸。当应用程序需要更细粒度管理存储资源时就会遇到不便之处[^3]。
#### 编程前必须先执行擦除命令
每次向Flash写入新内容之前都必须要先对该位置所在的整个页面做一次完整的清零处理即所谓的“全页擦除”。这不仅增加了实际操作所需的时间成本同时也提高了误操作风险因为任何意外中断都有可能导致部分完成状态下的不完整记录被永久固化下来无法恢复。
```c
// 示例代码展示如何安全地进行Flash擦除与写入操作
void Flash_Write(uint32_t Address, uint32_t Data) {
HAL_FLASH_Unlock();
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGERR);
if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) != HAL_OK){
// 错误处理逻辑...
}
HAL_FLASH_Lock();
}
```
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