InGaAs探测器总剂量辐照性能测试与分析

"本文详细分析了InGaAs探测器在总剂量辐照下的性能试验，重点关注了一款由Xenics公司生产的InGaAs探测器。针对该探测器在700km轨道高度3年运行期间可能遇到的2 krad(Si)总剂量辐射，进行了30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验。研究表明，随着总剂量辐射的增加，探测器的暗电流增大，响应度降低，整体性能出现下滑，但依然满足10 krad(Si)的辐射耐受指标要求。文章进一步探讨了γ辐射对探测器性能影响的内在机制，并为未来InGaAs探测器的辐射加固提供了理论依据和参考。此研究源于国家863计划重大项目，旨在提升探测器在辐射环境中的稳定性和可靠性。" 文章深入分析了InGaAs探测器在高辐射环境下的行为，这种探测器广泛应用于光谱学、成像和其他光学测量领域。在轨卫星和空间设备经常面临辐射环境，因此了解和测试探测器的抗辐射性能至关重要。实验采用的60Co-γ辐射源是一种常见的模拟太空辐射环境的方法。 实验结果显示，当总剂量达到30 krad(Si)时，InGaAs探测器的暗电流出现显著增长，这表明辐射导致了材料内部缺陷的增加，使得非辐射电流增加。同时，探测器的响应度降低，意味着其转换光信号至电信号的能力减弱，这可能是由于辐射损伤导致的材料性质变化。尽管性能有所下降，但探测器仍能承受预期的10 krad(Si)辐射剂量，符合设计要求，证明了其良好的辐射耐受性。 此外，作者还讨论了γ辐射对探测器性能影响的物理机制，可能涉及到载流子的产生和复合过程的改变，以及材料结构的微小变化。这些见解对于设计和开发更耐辐射的InGaAs探测器具有指导意义，有助于提高未来空间任务中探测器的生存能力和性能。 这篇论文提供了有关InGaAs探测器辐射效应的重要数据和分析，不仅对于理解这类探测器在辐射环境下的行为有重要意义，也为辐射防护和增强策略提供了基础。对于空间科学和工程领域的研究者来说，这是一份有价值的参考资料。