东芝TC55NEM208A：高速低功耗8位SRAM芯片

"TOSHIBA-TC55NEM208A.pdf 是一份关于TOSHIBA公司生产的TC55NEM208A静态随机存取存储器（SRAM）的数据手册。该器件是一款524,288字×8位的高速、低功耗CMOS SRAM芯片，采用Toshiba的硅栅极CMOS工艺制造。" 在该文档中，主要介绍了TC55NEM208A的主要特性和应用领域。这款SRAM芯片具有4,194,304位的存储容量，即524,288个字，每个字由8位组成。其工作电源为5V±10%，利用先进的电路技术实现了高速度和低功耗。在操作电流为3mA/MHz（典型值）的情况下，能够保持高速运行，并且拥有55ns的最小周期时间，这使得它在处理高速数据交换时表现出色。 此外，TC55NEM208A具备低功耗模式，当芯片使能（CE）信号被置高时，设备会进入待机状态，此时的待机电流仅为1μA（典型值），非常适合需要电池备份和低功耗的系统应用。控制输入包括CE和输出使能（OE）两个引脚。CE用于选择设备并控制数据保留，而OE则用于快速访问内存，提供了灵活的系统控制选项。 该器件的另一个显著特点是其宽泛的工作温度范围，保证在-40°C到85°C之间稳定运行，这使其能够在极端温度环境下可靠地工作。封装形式为标准的32引脚塑料小外形封装，适应各种微处理器系统集成的需求。 TC55NEM208A适用于需要高速读写、低功耗特性的应用场景，如嵌入式系统、工业控制、移动设备等。在设计这些系统时，工程师可以考虑使用这款SRAM来提高系统的性能和效率，同时减少能源消耗。其良好的温度适应性也确保了在各种环境条件下都能稳定工作。