IRLR120NTR: 100V高压MOS管，大电流驱动与特性参数

IRLR120ntr是一款高性能的HEXFET（高电子迁移率晶体管）功率MOSFET，专为驱动电磁阀、继电器等应用设计，尤其适用于需要处理大电流的情况，其电流能力超过3安培。该元件的主要特性如下： 1. **参数规格**： - **持续导通电流（ID）**：在25°C时，最大连续导通电流为10A，当温度升至100°C时，降低到7.0A。 - **最大脉冲电流（IDM）**：可以承受的峰值脉冲电流为35A。 - **最大功率消耗（PD）**：在25°C下，允许的最大功率损耗为48W，但需注意线性降级因子为0.32W/°C，意味着随着温度上升，功率容量会相应下降。 2. **电压和电极特性**： - **栅极-源极电压（VGS）**：支持±16V的工作范围，确保了宽广的控制信号可调性。 - **单脉冲雪崩能量（EAS）**：在单次冲击情况下，器件能承受的电荷能量为85mJ。 - **雪崩电流（IAR）**：最大允许的雪崩电流为6.0A。 - **重复雪崩能量（EAR）**：在重复模式下，器件能承受的能量为4.8mJ。 3. **开关速度**： - **峰态二极管恢复速率（dv/dt）**：快速的恢复时间有助于减小电压尖峰，为高频率应用提供了优势，其值为5.0V/ns。 4. **温度管理**： - **工作结温（TJ）**：器件可在-55°C至+175°C的温度范围内正常运行。 - **热阻**：包括结-壳（RθJC）、PCB安装结-环境（RθJA）和直接接触环境的热阻，分别约为3.1°C/W、50°C/W和110°C/W。 - **封装类型**：提供D-PAK、TO-252AA、I-PAK和表面贴装版本（IRLR120N）以及直插式封装（IRLU120N）。 5. **工艺技术与优势**： - 国际整流器公司采用先进的工艺技术，确保了IRLR120ntr的高速开关性能、低导通电阻（RDS(on) = 0.185Ω）以及全面的雪崩耐受性，使其成为第五代HEXFET的代表作。 总结来说，IRLR120ntr是一款适合大电流驱动应用的高效电力开关器件，它结合了低导通电阻、高功率处理能力和快速开关特性，适用于对可靠性和效率有高要求的工业自动化系统中。同时，其温度管理和封装选项提供了灵活性，以便于在不同环境下稳定工作。