英飞凌 IPP120N10S405AKSA1 芯片中文规格书

"IPP120N10S405AKSA1是英飞凌科技（INFINEON）生产的一款N沟道增强型 MOSFET 芯片，属于OptiMOS-T2系列。这款芯片适用于汽车电子应用，符合AECQ101标准，具备高温工作能力和RoHS合规的绿色环保特性。它具有高耐压、低导通电阻以及通过100%雪崩测试的能力，适合在各种电源转换和控制电路中使用。" IPP120N10S405AKSA1的主要特点包括： 1. **N沟道正常级增强模式**：该芯片是一种N沟道MOSFET，采用增强模式设计，意味着在没有栅极电压时，漏源电流为零，只有当栅极电压超过阈值时才会导通。 2. **AECQ101认证**：符合汽车电子委员会的AECQ101质量标准，确保了在汽车应用中的可靠性和稳定性。 3. **MSL1湿度敏感度等级**：最高可承受260°C峰值回流焊温度，适合SMT工艺。 4. **工作温度范围**：能在-55°C到175°C的宽温范围内正常工作，适应恶劣环境。 5. **绿色产品**：遵循RoHS指令，无有害物质，符合环保要求。 6. **100%雪崩测试**：所有芯片都经过了单脉冲雪崩能量测试，确保了其在过载条件下的安全操作。 关键规格参数如下： - **连续漏极电流 (ID)**：在25°C时最大值为120A，100°C时降为95A。 - **脉冲漏极电流 (ID,pulse)**：在25°C时，脉冲峰值电流可达480A。 - **雪崩能量 (EAS)**：在ID=60A时，单脉冲雪崩能量最大为330mJ。 - **雪崩电流 (IAS)**：单脉冲雪崩电流最大值为120A。 - **栅极源电压 (VGS)**：最大值为±20V。 - **总功率耗散 (Ptot)**：在25°C时最大为190W。 - **封装类型**：包括PG-TO220-3-1、PG-TO262-3-1和PG-TO263-3-2等不同封装形式，便于不同的应用场景选择。 - **导通电阻 (RDS(on))**：对于SMD版本的最大值为5.0mΩ，这决定了芯片在导通状态下的电压降和功率损耗。 IPP120N10S405AKSA1是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于高功率密度、高效能的电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为严苛环境中理想的电力电子元件。