第三章 存储系统 最近一次更新时间 备注 2024.10.27 完成3.2部分 文章目录 第三章 存储系统 3.2 主存储器 1、SRAM与DRAM的容量 例题一 例题二 例题三 2、异步刷新与集中刷新的时间 例题一 3、求DRAM芯片的容量 例题一 4、低位交又编址多模块存储器 例题一 5、在进入稳定的流水线之后,存储器能向CPU提供Y位 6、对X体交叉编址存储器计算,只需要把序列对X取余,看哪两个序列所对应的取余结果连读,即发生冲突 例题一 3.2 总结 3.2 主存储器 在计算机的存储体系中,主存储器是至关重要的一环,它直接影响着计算机的性能和数据处理能力。接下来,我们将深入探讨主存储器相关的关键知识点,包括 SRAM 与 DRAM 的容量、异步刷新与集中刷新的时间、求 DRAM 芯片的容量、低位交叉编址多模块存储器以及在特定场景下存储器与 CPU 的交互等内容。 共分以下六种情况: 1、SRAM与DRAM的容量 主要考点: 求地址线与数据线 SRAM 芯片 不同容量存储器分析 地址线的复用技术 例题一